Marca: Kingston / PN: KVR16N11/4
Kingston
Model: Memória DDR3 1600 8GB Kingston - KVR16LN11/8 *
Product ID: 1593
Product SKU: 1593
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Memória DDR3 1600 8GB Kingston - KVR16LN11/8 *

Memória DDR3 1600 8GB Kingston - KVR16LN11/8 *

Modelo:Memória DDR3 1600 8GB Kingston - KVR16LN11/8 *Disponibilidade: Disponível em 1 dia útil Referência: - KVR16LN11/8

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Memória DDR3 1600 8GB Kingston - KVR16LN11/8 *

Memória DDR3 1600 8GB Kingston - KVR16LN11/8 *
 

Capacidade8 GB
DDR31600 Mhz PC12800
DDR4Não se aplica
EspecificaçãoEspecificações: CL(IDD): 11 ciclos Row Cycle Time (tRCmin) 48.125ns (mín.) Refresh to Active/Refresh Command Time (tRFCmin) 260ns (min.) Row Active Time (tRASmin) 35ns (min.) Consumo de energia: 2.160 W* UL Rating: 94 V - 0 Temperatura de Operação: 0oC a 85oC Temperatura de Armazenamento: -55oC a +100oC *O consumo de energia irá variar de acordo com a memória RAM em uso. Caracteristicas: Tensão padrão JEDEC: 1.35V (1.28V ~ 1.45V) e 1.5V (1.425V ~ 1.575V) VDDQ = 1.35V (1.28V ~ 1.45V) e 1.5V (1.425V ~1.575V) 800MHz fCK para 1600Mb/sec/pin 8 bancos internos independentes Latência CAS Programável: 11,10, 9, 8, 7, 6 Latência programável adicional: 0, CL - 2, ou CL - 1 clock 8-bit pre-fetch Burst Length: 8 (Interleave sem limitação, apenas sequencial com endereço inicial 000), 4 com tCCD = 4 que não permite leitura ou escrita transparente [em tempo real usando ou A12 ou MRS] Data Strobe Diferencial bi-direcional Auto Calibração Interna: através do pino ZQ (RZQ: 240 ohm ± 1%) Terminação no Die usando o pino ODT Período médio de atualização 7.8us a uma temperatura menor que (TCASE) 85°C, 3.9us em 85°C <
TCASE <
95°C Reset assíncrono PCB: Altura 0.740 (18,75mm) ou 1.180 (30,00mm), componente apenas de um lado

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